SRAM SRAM STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

• Main Authors: WU GLORIA, TIAN JYUN YU, WEN MING CHANG, HUNG LIEN JUNG, CHANG CHANG YUN, CHEN HUNG KAI, HSU KUO HSIU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An SRAM structure is provided. The SRAM structure includes a substrate; a P-type well region on the substrate; an N-type well region on the substrate; a PMOS transistor in the N-type well region; an NMOS transistor in the P-type well region; an isolation region on a boundary between the P-type well region and the N-type well region; and a dielectric structure formed on the isolation region and extending from the isolation region to the boundary between the P-type well region and the N-type well region. A depth of the dielectric structure is deeper than a depth of the isolation region. The PMOS transistor is separated from the NMOS transistor by the isolation region. SRAM 구조물이 제공된다. SRAM 구조물은 기판, 기판 위의 P-형 웰 영역, 기판 위의 N-형 웰 영역, N-형 웰 영역 내의 PMOS 트랜지스터, P-형 웰 영역 내의 NMOS 트랜지스터, P-형 웰 영역과 N-형 웰 영역 사이의 경계 위의 격리 영역 및 격리 영역에 형성되고 격리 영역으로부터 P-형 웰 영역과 N-형 웰 영역 사이의 경계까지 연장되는 유전체 구조물을 포함한다. 유전체 구조물의 깊이는 격리 영역의 깊이보다 깊다. PMOS 트랜지스터는 격리 영역에 의해 NMOS 트랜지스터로부터 분리된다.