MULTI-LAYER SPIN ORBIT TORQUE ELECTRODES FOR PERPENDICULAR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

• Main Authors: GOSAVI TANAY, OGUZ KAAN, WIEGAND CHRISTOPHER, LIN CHIA CHING, RAHMAN MD TOFIZUR, BUFORD BENJAMIN, YOUNG IAN, SATO NORIYUKI, MANIPATRUNI SASIKANTH, SMITH ANGELINE, O'BRIEN KEVIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.01.2020
• Subjects: ELECTRICITY

Embodiments of a specification of the present invention relate to a system, a device, and/or a process for generating a spin orbital torque (SOT) electrode comprising a first layer having a first side part for coupling with a free layer of a magnetic tunnel junction (MTJ), and a second layer coupled to the second side part of the first layer opposite to the first side part. A value of an electrical resistance in a first SOT layer is lower than the value of the electrical resistance in a second SOT layer and the current applied to the SOT electrode causes the current to preferentially flow in the first SOT layer, thereby causing a magnetic polarization of the free layer to change directions. During manufacturing of the SOT electrode, the second layer can act as an etch stop. 본 명세서에서의 실시예들은 자기 터널 접합(MTJ)의 자유 층과 결합하기 위한 제1 측부를 갖는 제1 층 및 제1 측부에 대향하는 제1 층의 제2 측부와 결합되는 제2 층을 포함하는 스핀 궤도 토크(SOT) 전극을 생성하는 시스템, 장치, 및/또는 프로세스에 관한 것이며, 제1 SOT 층에서의 전기 저항의 값은 제2 SOT 층에서의 전기 저항의 값보다 낮고, SOT 전극에 인가되는 전류는 전류가 우선적으로 제1 SOT 층에서 흐르게 하여, 자유 층의 자기 분극이 방향들을 변경하게 한다. SOT 전극의 생산 동안, 제2 층은 에치 스톱으로서 작용할 수 있다.