SOLID-STATE IMAGE CAPTURE DEVICE

• Main Authors: YONETA YASUHITO, SUZUKI HISANORI, TAKAGI SHIN ICHIRO, SUGIMOTO KENICHI, MURAMATSU MASAHARU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

고체 촬상 장치(1)는 서로 대향하는 주면(20a)과 주면(20b)을 가지고, 주면(20a)측에 복수의 광감응 영역(3)이 마련된 반도체 기판(20)과, 서로 대향하는 주면(61a)과 주면(61b)을 가지고, 주면(61a)이 주면(20a)과 대향하도록 반도체 기판(20)상에 배치된 절연막(61)을 구비한다. 반도체 기판(20)의 주면(20a)에 있어서의 각 광감응 영역(3)에 대응하는 영역의, 반도체 기판(20)의 두께 방향에 평행한 단면이, 요곡선과 철곡선이 교호로 연속해서 이루어진 파형 모양이다. 절연막(61)의 주면(61a)에 있어서의 각 광감응 영역(3)에 대응하는 영역의, 절연막(61)의 두께 방향에 평행한 단면이, 주면(20a)에 대응하여 요곡선과 철곡선이 교호로 연속해서 이루어진 파형 모양이다. 절연막(61)의 주면(61b)이 평탄하다. A solid-state imaging device 1 has: a semiconductor substrate 20 having a principal surface 20a and a principal surface 20b opposed to each other, and provided with a plurality of photosensitive regions 3 on the principal surface 20a side; and an insulating film 61 having a principal surface 61a and a principal surface 61b opposed to each other, and arranged on the semiconductor substrate 20 so that the principal surface 61a is opposed to the principal surface 20a. A cross section parallel to a thickness direction of the semiconductor substrate 20, of a region corresponding to each photosensitive region 3 in the principal surface 20a of the semiconductor substrate 20 is a corrugated shape in which concave curves and convex curves are alternately continuous. A cross section parallel to a thickness direction of the insulating film 61, of a region corresponding to each photosensitive region 3 in the principal surface 61a of the insulating film 61 is a corrugated shape in which concave curves and convex curves are alternately continuous corresponding to the principal surface 20a. The principal surface 61b of the insulating film 61 is flat.