반도체 웨이퍼들 상의 패턴들의 높이 차이의 측정

• Main Authors: KHRISTO SERGEY, AVNIEL YAN, LEVI SHIMON, SCHWARZBAND ISHAI, KRIS ROMAN, BARAM MOR, GIRMONSKY DORON
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.12.2019
• Subjects: APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBEMICROSCOPY [SPM]; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASURING; PHYSICS; SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

반도체 웨이퍼들 상에 제공된 패턴들의 높이 차이를 결정하기 위한 개선된 기법은 실제 측정들(예를 들어, SEM 이미지들로부터의 측정들) 및 높이 차이 결정 모델을 사용한다. 모델의 일 버전에서, 모델의 측정가능한 변수는 음영의 깊이(즉, 상대 휘도)의 변화의 함수로 표현되고, 여기서 음영의 깊이는 높이 차이뿐만 아니라 반도체 웨이퍼 상의 2개의 피쳐들 사이의 폭 차이에도 의존한다. 모델의 다른 버전에서, 측정가능한 변수는, 주사 전자 빔의 기울기 각도의 변화에 대한 주기적 구조의 실제 이미지 상의 2개의 특징적인 지점들 사이의 측정된 거리의 변화의 함수로 표현된다. An improved technique for determining height difference in patterns provided on semiconductor wafers uses real measurements (e.g., measurements from SEM images) and a height difference determination model. In one version of the model, a measurable variable of the model is expressed in terms of a function of a change in depth of shadow (i.e. relative brightness), wherein the depth of shadow depends on the height difference as well as width difference between two features on a semiconductor wafer. In another version of the model, the measurable variable is expressed in terms of a function of a change of a measured distance between two characteristic points on the real image of a periodic structure with respect to a change in a tilt angle of a scanning electron beam.