Semiconductor device

• Main Authors: LEE HAE WANG, YANG JAE SEOK, KIM YOUNG HUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention is to provide a semiconductor device with increased element integration density and improved reliability and performance. The semiconductor device comprises: a first fin pattern and a second fin pattern which are separated by a first isolation trench and individually extend in a first direction; a third fin pattern which is spaced apart from the first fin pattern in a second direction and extends in the first direction; a fourth fin pattern which is separated from the third fin pattern by a second isolation trench; a first gate structure which intersects the first fin pattern and has a portion extending along an upper surface of the first fin pattern; a second gate structure which intersects the second fin pattern and has a portion extending along an upper surface of the second fin pattern; and a first element isolation structure which fills the second isolation trench and faces a short side of the first gate structure. 소자의 집적도를 높이고, 신뢰성 및 성능을 향상시킨 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 제1 분리 트렌치에 의해 분리되고, 제1 방향으로 각각 연장되는 제1 핀형 패턴 및 제2 핀형 패턴, 상기 제1 핀형 패턴과 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 핀형 패턴, 제2 분리 트렌치에 의해 상기 제3 핀형 패턴과 분리되는 제4 핀형 패턴, 상기 제1 핀형 패턴과 교차하는 제1 게이트 구조체로, 상기 제1 게이트 구조체의 일부는 상기 제1 핀형 패턴의 상면을 따라 연장되는 제1 게이트 구조체, 상기 제2 핀형 패턴과 교차하는 제2 게이트 구조체로, 상기 제2 게이트 구조체의 일부는 상기 제2 핀형 패턴의 상면을 따라 연장되는 제2 게이트 구조체, 및 상기 제2 분리 트렌치를 채우고, 상기 제1 게이트 구조체의 단변과 마주보는 제1 소자 분리 구조체를 포함한다.