III- REDUCING OR ELIMINATING NANOPIPE DEFECTS IN III-NITRIDE STRUCTURES

• Main Authors: GRILLOT PATRICK NOLAN, NSHANIAN TIGRAN, WILDESON ISAAC HARSHMAN, DEB PARIJAT PRAMIL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명의 실시형태들은 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 배치된 III-질화물 발광 층, 나노파이프 결함을 포함하는 III-질화물층, 및 III-질화물 발광 층과, 나노파이프 결함을 포함하는 III-질화물층 사이에 배치된 나노파이프 종결 층을 포함한다. 나노파이프는 나노파이프 종결 층에서 종결된다. Embodiments of the invention include a III-nitride light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region, a III...