III- REDUCING OR ELIMINATING NANOPIPE DEFECTS IN III-NITRIDE STRUCTURES

본 발명의 실시형태들은 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 배치된 III-질화물 발광 층, 나노파이프 결함을 포함하는 III-질화물층, 및 III-질화물 발광 층과, 나노파이프 결함을 포함하는 III-질화물층 사이에 배치된 나노파이프 종결 층을 포함한다. 나노파이프는 나노파이프 종결 층에서 종결된다. Embodiments of the invention include a III-nitride light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region, a III...

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Main Authors GRILLOT PATRICK NOLAN, NSHANIAN TIGRAN, WILDESON ISAAC HARSHMAN, DEB PARIJAT PRAMIL
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 17.12.2019
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명의 실시형태들은 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 배치된 III-질화물 발광 층, 나노파이프 결함을 포함하는 III-질화물층, 및 III-질화물 발광 층과, 나노파이프 결함을 포함하는 III-질화물층 사이에 배치된 나노파이프 종결 층을 포함한다. 나노파이프는 나노파이프 종결 층에서 종결된다. Embodiments of the invention include a III-nitride light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region, a III-nitride layer including a nanopipe defect, and a nanopipe terminating layer disposed between the III-nitride light emitting layer and the III-nitride layer comprising a nanopipe defect. The nanopipe terminates in the nanopipe terminating layer.
Bibliography:Application Number: KR20197036356