SUBSTRATE TREATING METHOD AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS

• Main Authors: LEE JUNG HWAN, JUNG KYUNGHWA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a substrate processing device. The substrate processing device according to the present invention comprises: a process chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the process chamber; a gas supply unit for supplying a process gas to the processing space; and a plasma source for generating plasma from the process gas. The support unit includes an electrostatic chuck that adsorbs the substrate by electrostatic force. The substrate processing device comprises: a power supply unit for supplying a chucking voltage to the electrostatic chuck; and a management unit for controlling a voltage applied to the power supply unit for each process and controlling a heat transfer gas flow supplied between the substrate and the electrostatic chuck. The management unit includes a first monitoring unit for monitoring a change in physical characteristics of the substrate. The management unit includes a second monitoring unit that monitors a change in the physical characteristics of the electrostatic chuck. The management unit includes a first control unit for controlling to compensate for the chucking voltage by feeding back a chucking force value corresponding to a preset reference value based on the monitored characteristic change. The present invention is to efficiently control the gas flow according to a change in the characteristics of the devices in the chamber. 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스;를 포함하고, 상기 지지 유닛은 정전기력으로 기판을 흡착하는 정전 척;을 포함하며, 상기 기판 처리 장치는 상기 정전 척에 척킹 전압을 공급하는 전원부; 및 상기 전원부에 인가되는 전압을 공정 별로 피드백 제어하며 상기 기판과 상기 정전 척 사이로 공급되는 열전달 가스 플로우를 제어하는 관리부;를 포함할 수 있다. 상기 관리부는, 상기 기판의 물리적 특성 변화를 모니터링하는 제1모니터링부;를 포함할 수 있다. 또한 상기 관리부는, 상기 정전 척의 물리적 특성 변화를 모니터링하는 제2모니터링부;를 포함할 수 있다. 상기 관리부는, 상기 모니터링한 특성 변화를 바탕으로 미리 설정된 기준값에 대응되는 척킹 폴스(Chucking Force) 값 만큼 피드백 하여 척킹 전압을 보상하도록 제어하는 제1제어부;를 포함할 수 있다.