반도체 응용들에서 초임계 유체들을 사용하기 위한 방법 및 장치

• Main Authors: VERHAVERBEKE STEVEN, DELMAS JEAN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판을 처리하기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 이산화탄소 액체의 공급물 스트림이 압력 하에서 공급물 공급부로부터 정제 용기에 공급된다. 정제 용기의 이산화탄소 액체는 정제된 이산화탄소 기체를 형성하기 위해 단일 단계 증류 프로세스로 증류된다. 처리 방법은, 정제된 이산화탄소 액체를 형성하기 위해, 냉각 시스템으로부터의 냉매와의 열 교환에 의해, 정제된 이산화탄소 기체를 응축기에서 응축하는 단계를 포함한다. 정제된 이산화탄소 액체는, 정제된 이산화탄소 액체를 초임계 이산화탄소 유체로 변화시키기 위해 임계점 위의 목표 온도까지 가열된다. 처리 방법은, 처리 챔버에 배치된 기판을 세정하기 위해 초임계 이산화탄소 유체를 사용하는 단계를 포함한다. A method and apparatus for processing a substrate is provided. A feed stream of carbon dioxide liquid is supplied under pressure from a feed supply to a purification vessel. The carbon dioxide liquid in the purification vessel is distilled to form a purified carbon dioxide gas in a single stage distillation process. The processing method includes condensing the purified carbon dioxide gas in the condenser by heat exchange with a refrigerant from a refrigeration system to form a purified carbon dioxide liquid. The purified carbon dioxide liquid is heated to a target temperature above a critical point to change the purified carbon dioxide liquid to a supercritical carbon dioxide fluid. The processing method includes using the supercritical carbon dioxide fluid to clean a substrate disposed in a processing chamber.