반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
집적도가 높은 반도체 장치를 제공한다. 제 1 영역, 제 2 영역, 제 1 영역 및 제 2 영역과 인접한 제 3 영역, 및 제 2 영역과 인접한 제 4 영역을 가지는 산화물 반도체와, 산화물 반도체 위의 제 1 절연체와, 제 1 절연체 위의 제 1 도전체와, 산화물 반도체, 제 1 절연체, 및 제 1 도전체 위의 제 2 절연체와, 제 1 절연체의 측면 및 제 1 도전체의 측면에 제 2 절연체를 개재하여 제공된 제 3 절연체와, 제 2 절연체 및 제 3 절연체 위의 제 4 절연체와, 산화물 반도체와 접하는 제 2 도전체를 가지고, 제...
Saved in:
Main Authors | , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
29.11.2019
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | 집적도가 높은 반도체 장치를 제공한다. 제 1 영역, 제 2 영역, 제 1 영역 및 제 2 영역과 인접한 제 3 영역, 및 제 2 영역과 인접한 제 4 영역을 가지는 산화물 반도체와, 산화물 반도체 위의 제 1 절연체와, 제 1 절연체 위의 제 1 도전체와, 산화물 반도체, 제 1 절연체, 및 제 1 도전체 위의 제 2 절연체와, 제 1 절연체의 측면 및 제 1 도전체의 측면에 제 2 절연체를 개재하여 제공된 제 3 절연체와, 제 2 절연체 및 제 3 절연체 위의 제 4 절연체와, 산화물 반도체와 접하는 제 2 도전체를 가지고, 제 1 영역은 제 1 절연체와 접하고, 또한 제 1 절연체 및 도전체를 개재하여 제 3 절연체와 중첩되고, 제 2 영역은 제 2 절연체와 접하고, 또한 제 2 절연체를 개재하여 제 3 절연체와 중첩되고, 제 3 영역은 제 2 절연체와 접하고, 또한 제 2 절연체 및 제 3 절연체를 개재하여 제 3 절연체와 중첩되고, 제 4 영역은 제 2 도전체와 접한다.
The semiconductor device includes an oxide semiconductor including a first region, a second region, a third region adjacent to the first region and the second region, and a fourth region adjacent to the second region; a first insulator over the oxide semiconductor; a first conductor over the first insulator; a second insulator over the oxide semiconductor, the first insulator, and the first conductor; a third insulator provided to overlap with a side surface of the first insulator and a side surface of the first conductor with the second insulator therebetween; a fourth insulator over the second insulator and the third insulator; and a second conductor in contact with the oxide semiconductor. The first region is in contact with the first insulator and overlaps with the third insulator with the first insulator and the conductor therebetween; the second region is in contact with the second insulator and overlaps with the third insulator with the second insulator therebetween; the third region is in contact with the second insulator and overlaps with the third insulator with the second insulator and the third insulator therebetween; and the fourth region is in contact with the second conductor. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: KR20197031053 |