Integrated circuit device having dielectric layer and method and apparatus for manufacturing same
An integrated circuit device includes an electrode, a dielectric layer facing the electrode, and a plurality of interface layers interposed between the electrode and the dielectric layer and including a first metal. The plurality of interface layers include a first interface layer and a second inter...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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27.11.2019
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Summary: | An integrated circuit device includes an electrode, a dielectric layer facing the electrode, and a plurality of interface layers interposed between the electrode and the dielectric layer and including a first metal. The plurality of interface layers include a first interface layer and a second interface layer having different oxygen contents. In order to manufacture the integrated circuit device, the plurality of interface layers having different oxygen contents are successively formed on a substrate by using a precursor including the first metal, oxidizing reaction gas, and reducing reaction gas in a reaction space. An apparatus for manufacturing the integrated circuit device includes: at least one gas concentration measuring device configured to detect an oxygen concentration and a hydrogen concentration from at least one position selected from at least one exhaust pipe and the interior of a chamber. It is possible to reduce a leakage current in a capacitor and maintain desired electrical characteristics.
집적회로 소자는 전극과, 상기 전극에 대면하는 유전막과, 상기 전극과 상기 유전막과의 사이에 개재되고 제1 금속을 포함하는 복수의 인터페이스막을 포함하고, 상기 복수의 인터페이스막은 산소 함량이 서로 다른 제1 인터페이스막 및 제2 인터페이스막을 포함한다. 집적회로 소자를 제조하기 위하여, 반응 공간 내에서 제1 금속을 포함하는 전구체, 산화성 반응 가스, 및 환원성 반응 가스를 이용하여 기판 상에 산소 함량이 서로 다른 복수의 인터페이스막을 연속적으로 형성한다. 집적회로 소자 제조 장치는 적어도 하나의 배기관 및 챔버의 내부 중에서 선택되는 적어도 하나의 위치에서의 산소 농도 및 수소 농도를 검출하도록 구성된 적어도 하나의 가스 농도 측정 장치를 포함한다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20180057433 |