고체 촬상 장치 및 전자 기기

성능이 보다 향상한 고체 촬상 장치 및 전자 기기를 제공한다. 화소가 배열된 화소부가 형성되고, 제1 반도체 기판 및 제1 다층 배선층이 적층된 제1 기판과, 소정의 기능을 갖는 회로가 형성되고, 제2 반도체 기판 및 제2 다층 배선층이 적층된 제2 기판과, 소정의 기능을 갖는 회로가 형성되고, 제3 반도체 기판 및 제3 다층 배선층이 적층된 제3 기판이 이 순서로 적층되어 구성되고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판은, 상기 제1 다층 배선층과 상기 제2 반도체 기판이 대향하도록 접합되고, 상기 제1 기판의 회로와 상기 제2 기판...

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Main Authors IIJIMA TADASHI, ISHIDA MINORU, HANEDA MASAKI, KAMESHIMA TAKATOSHI, MITSUHASHI IKUE, HORIKOSHI HIROSHI, HASHIGUCHI HIDETO, SHOHJI REIJIROH
Format Patent
LanguageKorean
Published 26.11.2019
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Summary:성능이 보다 향상한 고체 촬상 장치 및 전자 기기를 제공한다. 화소가 배열된 화소부가 형성되고, 제1 반도체 기판 및 제1 다층 배선층이 적층된 제1 기판과, 소정의 기능을 갖는 회로가 형성되고, 제2 반도체 기판 및 제2 다층 배선층이 적층된 제2 기판과, 소정의 기능을 갖는 회로가 형성되고, 제3 반도체 기판 및 제3 다층 배선층이 적층된 제3 기판이 이 순서로 적층되어 구성되고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판은, 상기 제1 다층 배선층과 상기 제2 반도체 기판이 대향하도록 접합되고, 상기 제1 기판의 회로와 상기 제2 기판의 회로를 전기적으로 접속하기 위한 제1의 접속 구조는, 상기 제1 다층 배선층 내의 배선을 노출시키는 제1의 관통구멍과, 상기 제2 다층 배선층 내의 배선을 노출시키는 상기 제1의 관통구멍과는 다른 제2의 관통구멍에 도전 재료가 매입된 구조, 또는 성막된 구조를 갖는 비아를 포함하는 고체 촬상 장치. A solid-state imaging device including: a first substrate having a pixel unit, and a first semiconductor substrate and a first wiring layer; a second substrate with a circuit, and a second semiconductor substrate and a second wiring layer; and a third substrate with a circuit, and a third semiconductor substrate and a third wiring layer. The first and second substrates are bonded together such that the first wiring layer and the second semiconductor substrate are opposed to each other. The device includes a first coupling structure for electrically coupling a circuit of the first substrate and the circuit of the second substrate. The first coupling structure includes a via in which electrically-conductive materials are embedded in a first through hole that exposes a wiring line in the first wiring layer and in a second through hole that exposes a wiring line in the second wiring layer or a film-formed structure.
Bibliography:Application Number: KR20197026487