몰리브덴을 함유하는 저 저항률 막들

• Main Authors: BUTAIL GORUN, VAN CLEEMPUT PATRICK, HUMAYUN RAASHINA, LAI CHIUKIN STEVEN, COLLINS JOSHUA, BAMNOLKER HANNA, THOMBARE SHRUTI VIVEK, KENNEDY GRIFFIN JOHN, DANEK MICHAL
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 20.11.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

로직 및 메모리 애플리케이션들을 위한 저 저항 금속화 스택 구조체들 및 관련된 제조 방법들이 본 명세서에 제공된다. 일부 구현예들에서, 방법들은 기판 상에 텅스텐 (W)-함유 층을 제공하는 단계; 및 W-함유 층 상에 몰리브덴 (Mo)-함유 층을 증착하는 단계를 수반한다. 일부 구현예들에서, 방법들은 W-함유 층을 개재하지 않고, 유전체 또는 티타늄 나이트라이드 (TiN) 기판 직상에 Mo-함유 층을 증착하는 단계를 수반한다. Provided herein are low resistance metallization stack structures for logic and memory applications and related methods of fabrication. In some implementations, the methods involve providing a tungsten (W)-containing layer on a substrate; and depositing a molybdenum (Mo)-containing layer on the W-containing layer. In some implementations, the methods involve depositing a Mo-containing layer directly on a dielectric or titanium nitride (TiN) substrate without an intervening W-containing layer.