METHODS FOR FORMING A DOPED METAL CARBIDE FILM ON A SUBSTRATE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

• Main Authors: JOHNSON WARD, RAISANEN PETRI, HSU PENG FU, LI DONG, CHEN XICHONG, MOUSA MOATAZ BELLAH
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.11.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for depositing a doped metal carbide film on a substrate is disclosed. The method can include a step of depositing a doped metal carbide film on a substrate by using at least one deposition cycle of a cyclical deposition process; and a step of allowing the doped metal carbide film to be in contact with plasma generated from a hydrogen containing gas. In addition, disclosed is a semiconductor device structure including a doped metal carbide film formed by the method of the present disclosure. It is possible to form a doped metal carbide film having a desirable effective work function and low electrical resistivity. 피도핑 금속 탄화물 막을 기판 상에 증착하는 방법이 개시된다. 방법은, 주기적 증착 공정의 적어도 하나의 증착 사이클을 이용하여 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 증착하는 단계; 및 상기 피도핑 금속 탄화물 막을 수소 함유 가스로부터 생성된 플라즈마와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 본 개시의 방법에 의해 형성된 피도핑 금속 탄화물 막을 포함하는 반도체 소자 구조도 또한 개시된다.