3 THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

• Main Authors: SHIN DONGYOUN, JUNG EUNTAEK, SHIN JOONGSHIK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.11.2019
• Subjects: ELECTRICITY

A 3D semiconductor memory device includes an electrode structure on a substrate, wherein the electrode structure includes gate electrodes sequentially stacked in a first direction perpendicular to the upper surface of the substrate; a source conductive pattern interposed between the substrate and the electrode structure, a vertical semiconductor pattern penetrating the electrode structure and the source conductive pattern, and a data storage pattern extended in the first direction between the vertical semiconductor pattern and the electrode structure. The bottom surface of the data storage pattern is in contact with the source conductive pattern. A portion of the bottom surface of the data storage pattern is positioned at a different height from another portion of the bottom surface. It is possible to provide a 3D semiconductor memory device with improved operation characteristics. 3차원 반도체 메모리 장치는, 기판 상의 전극 구조체, 상기 전극 구조체는 상기 기판의 상면에 수직한 제1 방향을 따라 차례로 적층되는 게이트 전극들을 포함하는 것, 상기 기판과 상기 전극 구조체 사이에 개재되는 소스 도전 패턴, 상기 전극 구조체 및 상기 소스 도전 패턴을 관통하는 수직 반도체 패턴, 및 상기 수직 반도체 패턴과 상기 전극 구조체 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되는 데이터 저장 패턴을 포함한다. 상기 데이터 저장 패턴의 바닥면은 상기 소스 도전 패턴과 접하고, 상기 데이터 저장 패턴의 상기 바닥면의 일부는 상기 바닥면의 다른 일부와 다른 높이에 위치한다.