박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 디스플레이 패널

• Main Author: SHI LONGQIANG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 05.11.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 디스플레이 패널을 공개한다. 어닐링 처리 과정에서, 알루미늄층은 비정질 산화물 반도체층 중의 산소 이온과 결합되어 AlO층을 형성하고, 비정질 산화물 반도체층은 산소 이온을 잃음으로써 산소 결함이 증가되어 반도체층의 도핑 영역, 즉 소스 전극 접촉 영역 및 드레인 전극 접촉 영역이 형성되며, 동시에 비정질 산화물 반도체층은 산화방지층에 의해 차단되어 반도체층의 채널 영역을 형성한다. 본 발명은 제조 공정을 간소화하고 생산 효율을 향상시키며 생산 비용을 감소시킬 수 있다. Provided are a thin-film transistor and method for manufacturing same, and a display panel. During an annealing process, an aluminum layer (21) is combined with oxygen ions in an amorphous oxide semiconductor layer (24) to form an Al2O3layer; the amorphous oxide semiconductor layer (24) losing oxygen ions causes defects to increase and a doping region on the semiconductor layer to form, that is, forming a source electrode contact region and a drain electrode contact region; at the same time, the amorphous oxide semiconductor layer (24) is blocked by an anti-oxidation layer, forming a trench region of the semiconductor layer. Hence, the manufacturing process is simplified, production efficiency is improved, and production costs are reduced.