드라이 에칭제, 드라이 에칭 방법 및 반도체 장치의 제조방법

• Main Authors: KASHIWABA TAKASHI, YAO AKIFUMI, OOMORI HIROYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 04.11.2019
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, 지구 환경 부하가 작으며, 또한, 특수한 장치를 사용하지 않고 이방성 에칭이 가능하며, 양호한 가공 형상이 얻어지는 드라이 에칭제, 및 그를 이용한 드라이 에칭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 드라이 에칭제는, 적어도, 화학식 CF-CHFO(x=2 또는 3, y=1,2,3,4 또는 5, z=2x-1-y)로 나타내며, 산소 원자를 포함하는 3원환 구조를 가지는 하이드로플루오로알킬렌옥사이드를 포함한다. 또한, 본 발명의 드라이 에칭 방법에서는, 이 드라이 에칭제를 플라즈마화하여 얻어지는 플라즈마 가스를 이용하여, 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 다결정 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 및 탄화 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 실리콘계 재료를 선택적으로 에칭한다. The present invention aims to provide a dry etching agent having less load on global environment and capable of anisotropic etching without the use of special equipment and obtaining a good processing shape and to provide a dry etching method using the dry etching agent. The dry etching agent according the present invention contains at least a hydrofluoroalkylene oxide represented by the following chemical formula: CF3-CxHyFzO (where x=2 or 3; y=1, 2, 3, 4 or 5; and z=2x−1−y) and having an oxygen-containing three-membered ring. The dry etching method according to the present invention includes selectively etching of at least one kind of silicon-based material selected from the group consisting of silicon dioxide, silicon nitride, polycrystalline silicon, amorphous silicon and silicon carbide with the use of a plasma gas generated by plasmatization of the dry etching agent.