STORAGE DEVICE COMPRISING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

The present invention relates to a storage device with increased life. According to the present invention, the storage device includes memory blocks. Each memory block comprises: a non-volatile memory device including memory cells; and a controller receiving a first write request from an external ho...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors KO KUIHAN, LIM BONGSOON, PARK JOOYONG, KIM JIN YOUNG, PARK ILHAN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 04.11.2019
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:The present invention relates to a storage device with increased life. According to the present invention, the storage device includes memory blocks. Each memory block comprises: a non-volatile memory device including memory cells; and a controller receiving a first write request from an external host device, transferring a first sanitize command to the non-volatile memory device in accordance with the first write request, and transferring first write data and the first write command, which are related to the first write request, to the non-volatile memory device. In response to the first sanitize command, the non-volatile memory device is designated to remove first data written in first memory cells of the first memory block among the memory blocks. In response to the first write command, the non-volatile memory device is designated to write the first write data in second memory cells of the first memory block. 본 발명은 스토리지 장치에 관한 것이다. 본 발명의 스토리지 장치는 메모리 블록들을 포함하고, 메모리 블록들 각각은 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치, 그리고 외부의 호스트 장치로부터 제1 쓰기 요청을 수신하고, 그리고 제1 쓰기 요청에 따라 불휘발성 메모리 장치에 제1 제거(sanitize) 명령을 전달하고 그리고 제1 쓰기 요청과 연관된 제1 쓰기 데이터 및 제1 쓰기 명령을 불휘발성 메모리 장치에 전달하도록 구성되는 제어기를 포함한다. 제1 제거 명령에 응답하여, 불휘발성 메모리 장치는 메모리 블록들 중 제1 메모리 블록의 제1 메모리 셀들에 기입된 제1 데이터를 제거하도록 구성된다. 제1 쓰기 명령에 응답하여, 불휘발성 메모리 장치는 제1 메모리 블록의 제2 메모리 셀들에 제1 쓰기 데이터를 기입하도록 더 구성된다.
Bibliography:Application Number: KR20180048101