3차원 메모리 디바이스의 복합 기판

• Main Authors: HUO ZONGLIANG, FU FENGHUA, HONG PEIZHEN, XIA ZHILIANG, LIU FANDONG, HUA WENYU, YANG YAOHUA, ZENG MING, JIANG YANGBO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.10.2019
• Subjects: ELECTRICITY

본 개시는 3차원 메모리 디바이스를 위한 방법 및 구조를 기술한다. 상기 방법은, 하부 기판을 제공하는 단계 및 하부 기판 위에 복수의 도핑된 층을 형성하는 단계를 포함한다. 복수의 도핑된 층은 복수의 도핑된 층의 상부 표면이 실질적으로 평탄하고 복수의 도핑된 층 각각의 도핑 농도가 복수의 도핑된 층의 상부 표면에 수직인 방향을 따라 실질적으로 균일하도록, 두께 범위에서 총 두께를 가진다. The present disclosure describes methods and structures for three-dimensional memory devices. The methods include providing a bottom substrate and forming a plurality of doped layers over the bottom substrate. The plurality of doped layers has a total thickness in a thickness range such that a top surface of the plurality of doped layers is substantially flat and a doping concentration of each of the plurality of doped layers is substantially uniform along a direction substantially perpendicular to the top surface of the plurality of doped layers.