산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법

• Main Authors: WATATANI KENICHI, MIYANAGA MIKI, AWATA HIDEAKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.10.2019
• Subjects: ARTIFICIAL STONE; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CEMENTS; CERAMICS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS; CONCRETE; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; LIME, MAGNESIA; METALLURGY; REFRACTORIES; SEMICONDUCTOR DEVICES; SLAG; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TREATMENT OF NATURAL STONE

In, W 및 Zn을 함유하며, 빅스바이트형 결정상을 포함하는 제1 결정상과 그보다 Zn의 함유율이 높은 제2 결정상을 포함하고, 제2 결정상을 구성하는 입자는 평균 장축 직경이 3∼50 ㎛, 평균 어스펙트비가 1.5∼50이고, 겉보기 밀도가 6.4를 넘되 7.5 g/㎤ 이하이고, In, W 및 Zn의 합계에 대한 W의 함유율이 0.01을 넘되 5.0 원자% 이하이고, Zn의 함유율이 1.2 이상 50 원자% 미만이고, W에 대한 Zn의 원자비가 1.0보다 크되 20000보다 작은 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 그리고 상기 산화물 소결체를 이용하여 형성되는 산화물 반도체막(14)을 포함하는 반도체 디바이스(10)의 제조 방법이 제공된다. The present invention relates to an oxide sintered material that can be used suitably as a sputtering target for forming an oxide semiconductor film using a sputtering method, a method of producing the oxide sintered material, a sputtering target including the oxide sintered material, and a method of producing a semiconductor device 10 including an oxide semiconductor film 14 formed using the oxide sintered material.