에칭 메트릭 향상을 위한 표면 개질 제어

• Main Authors: KOMATSU KENJI, WATANABE SEIICHI, COPPA BRIAN J, PUROHIT VISWAS SHARAD
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 28.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판 상에 형성되는 층의 플라즈마 보조 표면 개질의 프로세스를 모니터링 및 제어하기 위한 방법이 개시된다. 방법은, 표면 개질 가스를 플라즈마 프로세싱 시스템의 플라즈마 프로세싱 챔버 안으로 유동시키는 것, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 점화시켜 기판 상에 형성되는 층에 대한 표면 개질 프로세스를 개시하는 것, 및 층에 대한 표면 개질 프로세스 동안, 플라즈마 프로세싱 챔버에 부착되는 광학 방출 분광법 시스템으로부터 광학 방출 스펙트럼을 획득하는 것을 포함한다. 하나의 실시형태의 경우, 방법은, 획득된 광학 방출 스펙트럼에 기초하여 표면 개질 프로세스의 적어도 하나의 파라미터를 변경하는 것을 포함한다. 하나의 실시형태의 경우, 획득된 광학 방출 스펙트럼은, 표면 개질 프로세스의 종료점 제어를 가능하게 하기 위해, 스펙트럼 라인의 강도, 스펙트럼 라인의 기울기, 또는 둘 모두를 포함할 수 있다. 추가적인 방법 및 관련 시스템이 또한 개시된다. A method is disclosed for monitoring and controlling a process of plasma-assisted surface modification of a layer formed on a substrate. The method includes flowing a surface modification gas into a plasma processing chamber of a plasma processing system, igniting a plasma in the plasma processing chamber to initiate a surface modification process for a layer formed on a substrate, and acquiring optical emission spectra from an optical emission spectroscopy system attached to the plasma processing chamber, during the surface modification process for the layer. For one embodiment, the method includes altering at least one parameter of the surface modification process based on the acquired optical emission spectra. For one embodiment, the acquired optical emission spectra can include an intensity of a spectral line, a slope of a spectral line, or both to enable endpoint control of the surface modification process. Additional methods and related systems are also disclosed.