반도체 장치 및 그 제조 방법

• Main Authors: KURUSU HITOSHI, MAEDA KAZUHIRO, HISAKA TAKAYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 기판(1) 위에 복수의 제어 전극(2), 복수의 제 1 전극(3) 및 복수의 제 2 전극(4)을 갖는 멀티 핑거의 트랜지스터가 형성되어 있다. 수지막(14, 15)이 트랜지스터를 덮고 있다. 복수의 제 1 전극(3)을 서로 전기적으로 접속하는 제 1 배선(8)이 수지막(14, 15) 위에 형성되어 있다. 수지막(14, 15)은 제 1 배선(8)과 복수의 제 1 전극(3)의 콘택트 부분을 덮는다. 복수의 제어 전극(2) 및 복수의 제 2 전극(4)의 주위에 있어서 수지막(14, 15)으로 밀폐된 중공 구조(16)가 형성되어 있다. A multi-finger transistor including plural control electrodes (2), plural first electrodes (3), and plural second electrodes (4) is provided on a semiconductor substrate (1). A resin film (14,15) covers the transistor. A first wiring (8) electrically connecting the plural first electrodes (3) to one other is provided on the resin film (14,15). The resin film (14,15) covers contact portions between the first wiring (8) and the plural first electrodes (3). A first hollow structure (16) sealed with the resin film (14,15) is provided around the plural control electrodes (2) and the plural second electrodes (4).