기판 처리 방법 및 기억 매체

• Main Authors: TAKAHASHI NOBUHIRO, ASADA YASUO, MATSUNAGA JUNICHIRO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

[과제] 웨이퍼에 형성된 SiGe층을, Si층, SiO층 및 SiN층 중의 적어도 1종에 대하여 선택적으로 에칭하는 데 있어서, 에칭양을 고르게 하는 기술을 제공하는 것. [해결 수단] 교대로 적층된 SiGe층(100)과 Si층(101)이 오목부(103) 내에 노출된 웨이퍼 W에 있어서 SiGe층(100)을 사이드 에칭에 의하여 에칭하는 데 있어서, 웨이퍼 W에 ClF가스와 HF 가스를 동시에 공급하고 있다. 그 때문에 각 SiGe층(100)의 에칭 속도가 균일해져 각 SiGe층(100)의 에칭양을 고르게 할 수 있다. A technique for making etching amounts uniform in selectively etching SiGe layers formed on a wafer with respect to at least one of an Si layer, an SiO2 layer, and an SiN layer is provided. In an etching process where SiGe layers in a wafer W in which the SiGe layers and Si layers are alternately stacked and exposed in a recess are removed by side etching, ClF3 gas and HF gas are simultaneously supplied to the wafer W. Accordingly, it is possible to make the etching rates for respective SiGe layers uniform, and it becomes possible to obtain a uniform etching amount for respective SiGe layers.