기질들을 결합하기 위한 방법 및 장치

• Main Authors: HINGERL KURT, OBERHUMER PETER NIKOLAS, HESSER GUNTER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

- 상기 제1 기질(1,6) 상에 제1 비정질 층(1a, 6a)을 형성하는 단계 및/또는 상기 제2 기질(2) 상에 제2 비정질 층(2a)을 형성하는 단계, - 기질 스택(3)을 형성하기 위해 비정질 층(1a, 2a, 6a) 또는 비정질 층(1a, 2a, 6a)들에서 제1 기질(1,6)을 제2기질(2)과 결합하는 단계, - 비정질 층(1a, 2a, 6a) 또는 비정질 층(1a, 2a, 6a)들이 결정 층 또는 결정 층들로 변환되도록 복사선(5)에 의해 비정질 층(1a, 2a, 6a) 또는 비정질 층(1a, 2a, 6a)들을 조사하는 것을 특징으로 하는 제1 기질(1,6)을 제2 기질(2)과 결합하는 방법이 제안된다. A method for bonding a first substrate with a second substrate, with the following sequence: production of a first amorphous layer on the first substrate and/or production of a second amorphous layer on the second substrate, bonding of the first substrate with the second substrate at the amorphous layer or at the amorphous layers to form a substrate stack, irradiation of the amorphous layer or the amorphous layers with radiation in such a way that the amorphous layer or the amorphous layers is/are transformed into a crystalline layer or crystalline layers.