Semiconductor device

• Main Authors: LEE JONG HAN, LEE JAE HYUN, PARK HONG BAE, JO MIN SEOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a semiconductor device which prevents a short between sources and drains of adjacent transistors and increases operating performance reliability by simultaneously forming separation insulation patterns separating adjacent gate electrodes in a longitudinal direction. The semiconductor device comprises: irst and second fin-type patterns separated by a separation trench and extended in a first direction on a substrate; a third fin-type pattern separated from the first and second fin-type patterns in a second direction and extended in the first direction; a field insulation film arranged on a portion of side walls of the first to third fin-type patterns; an element separation structure being extended in the second direction and filling the separation trench; a gate insulation support extended in the first direction on the field insulation film between the first and third fin-type patterns; and a gate structure crossing the third fin-type pattern, being extended in the second direction, and coming in contact with the gate insulation support. The height from the substrate to the bottom surface of the gate structure is larger than the height from the substrate to the bottom surface of the gate insulation support. 인접하는 트랜지스터의 소오스/드레인 사이의 쇼트(short)를 방지하고, 길이 방향으로 인접하는 게이트 전극을 분리하는 분리 절연 패턴을 동시에 형성하여, 동작 성능 및 신뢰성을 개선할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 기판 상에, 분리 트렌치에 의해 분리되고, 제1 방향으로 각각 연장되는 제1 핀형 패턴 및 제2 핀형 패턴, 상기 제1 핀형 패턴 및 상기 제2 핀형 패턴과 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 핀형 패턴, 상기 제1 내지 제3 핀형 패턴의 측벽의 일부 상에 배치되는 필드 절연막, 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 분리 트렌치를 채우는 소자 분리 구조, 상기 제1 핀형 패턴 및 상기 제3 핀형 패턴 사이의 상기 필드 절연막 상에, 상기 제1 방향으로 연장되는 게이트 절연 지지체, 및 상기 제3 핀형 패턴과 교차하고, 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 게이트 절연 지지체와 접촉하는 게이트 구조체를 포함하고, 상기 기판으로부터 상기 게이트 구조체의 바닥면까지의 높이는 상기 기판으로부터 상기 게이트 절연 지지체의 바닥면까지의 높이보다 크다.