실리콘 질화물의 유사 원자층 에칭 방법

• Main Authors: SHERPA SONAM D, RANJAN ALOK
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

에칭 방법이 설명된다. 방법은, 실리콘 질화물을 함유하는 제 1 재료 및 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료를 갖는 기판을 제공하는 단계, H 및 선택적으로 불활성 가스를 함유하는 제 1 프로세스 가스의 플라즈마 여기에 의해 제 1 화학 혼합물을 형성하는 단계, 및 기판 상의 제 1 재료를 제 1 화학 혼합물에 노출시키는 단계를 포함한다. 그 후, 방법은, S와 F, 및 선택적으로 불활성 요소를 함유하는 제 2 프로세스 가스의 플라즈마 여기에 의해 제 2 화학 혼합물을 형성하는 단계, 및 제 2 재료에 대해 제 1 재료를 선택적으로 에칭하기 위해 기판 상의 제 1 재료를 플라즈마 여기된 제 2 프로세스 가스에 노출시키는 단계를 포함한다. A method of etching is described. The method includes providing a substrate having a first material containing silicon nitride and a second material that is different from the first material, forming a first chemical mixture by plasma-excitation of a first process gas containing H and optionally a noble gas, and exposing the first material on the substrate to the first chemical mixture. Thereafter, the method includes forming a second chemical mixture by plasma-excitation of a second process gas containing S and F, and optionally a noble element, and exposing the first material on the substrate to the second plasma-excited process gas to selectively etch the first material relative to the second material.