Semiconductor device

• Main Authors: KIM CHANKYUNG, KIM HEI SEUNG, CHO MIN HEE, PARK SANGWUK, LEE HO, SONG WOO BIN, KIM JUNSOO, MIN JAEHONG, LEE SANG WOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device. More particularly, the semiconductor device includes: a first semiconductor film on a substrate, wherein the first semiconductor film comprises an amorphous oxide semiconductor; an isolation layer provided on the first semiconductor film to define the active pattern of the first semiconductor film wherein the active pattern includes a first part and a second part on the first part; and a gate electrode extended across the second part of the active pattern. The concentration of oxygen in the first part is lower than the concentration of oxygen in the second part. The electrical property of the semiconductor device can be increased. 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판 상의 제1 반도체막, 상기 제1 반도체막은 비정질 산화물 반도체를 포함하고; 상기 제1 반도체막 상에 제공되어 상기 제1 반도체막의 활성 패턴을 정의하는 소자 분리막, 상기 활성 패턴은 제1 부분 및 상기 제1 부분 상의 제2 부분을 포함하고; 및 상기 활성 패턴의 상기 제2 부분을 가로지르며 연장되는 게이트 전극을 포함한다. 상기 제1 부분의 산소의 농도는 상기 제2 부분의 산소의 농도보다 더 낮다.