SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARARUS AND METHODS FOR MONITORING AND CONTROLLING A SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: VERGHESE MOHITH, DUNN TODD, SHUGRUE JOHN KEVIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.09.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor processing apparatus is disclosed. The apparatus can comprise a multiple chamber module including at least a first reaction chamber and a second reaction chamber, and a first substrate support structure disposed within the first reaction chamber and a second substrate support structure disposed within the second reaction chamber. The apparatus can also include a wafer handling chamber including a transfer robot configured to transfer at least two substrates along a first transfer path between the wafer handling chamber and the first substrate support structure and a second transfer path between the wafer handling chamber and the second substrate support structure. The apparatus can also include at least a first pyrometer and a second pyrometer. A first optical path of the first pyrometer intersects the first transfer path, and a second optical path of the second pyrometer intersects the second transfer path. A method for monitoring and controlling a semiconductor processing apparatus is also disclosed. 반도체 처리 장치가 개시된다. 장치는 적어도 제1 반응 챔버 및 제2 반응 챔버를 포함하는 다중 챔버 모듈, 및 제1 반응 챔버 내에 배치되는 제1 기판 지지 구조체와 제2 반응 챔버 내에 배치되는 제2 기판 지지 구조체를 포함할 수 있다. 장치는 제1 기판 지지 구조체와의 사이인 제1 이송 경로, 및 제2 기판 지지 구조체와의 사이인 제2 이송 경로를 따라, 2개 이상의 기판을 이송시키도록 구성되는 이송 로봇을 포함하는 웨이퍼 핸들링 챔버를 또한 포함할 수 있다. 장치는 적어도 제1 고온계 및 제2 고온계를 또한 포함할 수 있되, 제1 고온계의 제1 광학 경로는 상기 제1 이송 경로와 교차하고, 제2 고온계의 제2 광학 경로는 상기 제2 이송 경로와 교차한다. 반도체 처리 장치를 모니터링하고 제어하는 방법도 개시된다.