진보된 리소그래피 및 자기-조립 디바이스들

서브-10nm 피치 패터닝을 포함하는 진보된 리소그래피 기법들 및 그로부터 결과하는 구조체들이 설명된다. 자기-조립 디바이스들 및 이들의 제조 방법들이 설명된다. Advanced lithography techniques including sub-10 nm pitch patterning and structures resulting therefrom are described. Self-assembled devices and their methods of fabrication are described....

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Main Authors BLACKWELL JAMES M, CHANDHOK MANISH, SCHENKER RICHARD E, WARD CURTIS W, LIN KEVIN L, KRYSAK MARIE, WALLACE CHARLES H, TAN ELLIOT N, SIVAKUMAR SWAMINATHAN, GSTREIN FLORIAN, NYHUS PAUL A, BRISTOL ROBERT L
Format Patent
LanguageKorean
Published 01.08.2019
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:서브-10nm 피치 패터닝을 포함하는 진보된 리소그래피 기법들 및 그로부터 결과하는 구조체들이 설명된다. 자기-조립 디바이스들 및 이들의 제조 방법들이 설명된다. Advanced lithography techniques including sub-10 nm pitch patterning and structures resulting therefrom are described. Self-assembled devices and their methods of fabrication are described.
Bibliography:Application Number: KR20197014746