SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: SONG JUNE O, BUN DONG JIN, JEONG WOO SEOP, LIM JAE GU, JEONG HWAN HEE, CHO SEUNG HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.08.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device and a method for fabricating the same. According to an embodiment of the present invention, the method for fabricating a light-emitting device may comprise: a step of forming a sacrificial layer on a substrate including a plurality of protruding units; and a step of forming a light-emitting structure on the sacrificial layer. In addition, according to an embodiment of the present invention, the step of forming the sacrificial layer on the substrate including the light-emitting structure of the method for fabricating the light-emitting device may include: a step of forming a mask on the substrate including a plurality of protruding units; a step of etching a part of the mask to expose a part of the plurality of protruding units; and a step of forming the sacrificial layer on the mask and the plurality of protruding units. In addition, the step of forming the light-emitting structure on the sacrificial layer may include: a step of injecting an etching solution into an air tunnel between the plurality of protruding units and between the substrate and the sacrificial layer to etch the sacrificial layer. Accordingly, the present invention is able to inject the etching solution into the air tunnel, allow the etching solution to flow into the air tunnel without colliding with the plurality of protruding units on the substrate, and rapidly etch the sacrificial layer. The present invention is able to selectively etch only the sacrificial layer, prevent the light-emitting structure from being damaged, and improve its light-emitting efficiency. 실시예는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 및 상기 희생층 상에 발광구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법 중 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 돌출부를 포함하는 상기 기판 상에 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부가 일부 노출되는 단계; 상기 마스크와 상기 복수의 돌출부 상에 상기 희생층을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 그리고, 상기 희생층 상에 발광구조물을 형성하는 단계는, 상기 복수의 돌출부 사이 및 상기 기판과 상기 희생층 사이의 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 식각용액이 에어 터널에 주입되어 상기 식각 용액이 기판의 복수의 돌출부와 충돌하지 않고 에어 터널로 흐를 수 있어 희생층을 빠르게 식각할 수 있다. 또한, 상기 희생층만은 선택적으로 식각할 수 있다. 상기 희생층만을 선택적으로 식각함에 따라 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있어 발광 효율을 향상 시킬 수 있다.