PV 장치 내 수소 유도 재결합(HIR) 및 표면 패시베이션(PASSIVATION) 열화를 완화시키는 개선된 수소 패시베이션

• Main Authors: KIM MOONYONG, HALLAM BRETT JASON, PAYNE DAVID NEIL, CIESLA ALISON, CHONG CHEE MUN, SHI ZHENGRONG, CHEN RAN, CHEN DANIEL, CHAN CATHERINE EMILY, MAI LY, ABBOTT MALCOLM DAVID, WENHAM STUART ROSS, FUNG TSUN HANG, BAGNALL DARREN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.07.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 광전지 장치를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 특히, 본 발명은 실리콘 내의 결함을 패시베이션 하고 광-유도된 열화를 다루기 위한 광전지 장치의 제조 중에 수소를 이용하는 것에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 결함 패시베이션을 최적화하기 위해 중성 또는 대전된 상태에서 수소의 생성 및 취급을 이용한다. 일부 방법은 열처리, 서브-밴드갭 광자를 갖는 조명, 전기장, 또는 대전 또는 수소의 상태를 제어하기 위해 실리콘 내의 결함, 장치 내 상이한 위치로 수소의 이동 또는 특정 위치에 잔류하는 수소를 이용하는 방법을 개시한다. The present disclosure provides methodologies for manufacturing photovoltaic devices. In particular, the disclosure relates to the use of hydrogen during manufacturing of photovoltaic devices for passivating defects in the silicon and addressing light-induced degradation. The methodologies in the present disclosures take advantage of generation and manipulation of hydrogen in the neutral or charged state to optimise defect passivation. Some of the methodologies disclose use thermal treatments, illumination with sub-bandgap photons, electric fields or defects in the silicon to control the state of charge or hydrogen, move hydrogen to different locations in the device or retain hydrogen at specific locations.