SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided are a memory device capable of suppressing power consumption and a signal processing circuit using the memory device. A capacitive element for holding data in a storage element using a phase inversion element for inverting and outputting a phase of an input signal such as an inverter, a clo...

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Main Author TAKEMURA YASUHIKO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 08.07.2019
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Summary:Provided are a memory device capable of suppressing power consumption and a signal processing circuit using the memory device. A capacitive element for holding data in a storage element using a phase inversion element for inverting and outputting a phase of an input signal such as an inverter, a clocked inverter, or the like and a switching element controlling the accumulation and release of change in the capacitive element are formed. For example, one electrode of the capacitive element is connected to the input or output of the phase inversion element, and the other electrode is connected to the switching element. The memory element is used for a storage device such as a register or a cache memory included in a signal processing circuit. 소비 전력을 억제할 수 있는 기억 장치, 상기 기억 장치를 사용한 신호 처리 회로를 제공한다. 인버터 또는 클록드 인버터 등의, 입력된 신호의 위상을 반전시켜 출력하는 위상 반전 소자를 사용한 기억 소자 내에, 데이터를 유지하기 위한 용량 소자와, 상기 용량 소자에 있어서의 전하의 축적 및 방출을 제어하는 스위칭 소자를 형성한다. 예를 들면, 용량 소자의 한쪽의 전극을 위상 반전 소자의 입력 또는 출력에 접속하고, 다른쪽의 전극을 스위칭 소자에 접속한다. 상기 기억 소자를, 신호 처리 회로가 갖는 레지스터나 캐시 메모리 등의 기억 장치에 사용한다.
Bibliography:Application Number: KR20190077016