semiconductor wafer having bevel portion

The semiconductor wafer of the present invention includes a wafer body having a first surface and a second surface opposite to each other; and a bevel part formed along the outer circumference of the wafer body and including an inclined surface connecting the first and second surfaces. The bevel par...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors KO DOEK GIL, LEE IN JI, JUNG WOO SEUNG, KIM YEON SOOK
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 05.07.2019
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:The semiconductor wafer of the present invention includes a wafer body having a first surface and a second surface opposite to each other; and a bevel part formed along the outer circumference of the wafer body and including an inclined surface connecting the first and second surfaces. The bevel part includes a virtual circumscribed circle circumscribed at the outermost point of an inclined surface to make point contact or line contact with an external contact member, and a first bevel angle between the tangential direction of the inclined surface and the first surface, and a first bevel length between the end of the first surface and the end of the inclined surface adjacent thereto. The first bevel length is determined by the flatness of the first surface. The first bevel angle may be determined by the capillary force of fluid on the first surface and the radius of the virtual circumscribed circle. It is possible to improve semiconductor manufacturing yield. 본 발명의 반도체 웨이퍼는 서로 반대되는 제1 면과 제2 면을 가지는 웨이퍼 몸체; 및 상기 웨이퍼 몸체의 외주를 따라 형성되고 상기 제1 면과 제2 면을 연결하는 경사면을 포함하는 베벨부를 포함한다. 상기 베벨부는 상기 경사면의 최외각 지점에 외접하는 가상 외접원을 포함함으로써 외부 접촉 부재와 점 접촉 또는 선 접촉하고, 상기 경사면의 접선 방향과 제1 면 사이의 제1 베벨 각도, 및 상기 제1 면의 단부와 이에 인접한 상기 경사면의 단부 사이의 제1 베벨 길이를 구비하며, 상기 제1 베벨 길이는 제1 면의 평탄도에 의해 정해지며, 상기 제1 베벨 각도는 상기 제1 면 상의 유체의 모세관력과 상기 가상 외접원의 반지름에 의해 정해질 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20170181523