실리사이드 형성을 위한 방법들

본 개시내용은 일반적으로, 기판들 상에 티타늄 실리사이드들을 선택적으로 형성하는 방법들에 관한 것이다. 방법들은 일반적으로, 콘택 구조 통합 방식들과 함께 활용된다. 일 실시예에서, 소스/드레인 구역 상의 계면 층으로서 기판 상에 티타늄 실리사이드 재료가 선택적으로 형성된다. 티타늄 실리사이드 층은 약 400 ℃ 내지 약 500 ℃ 범위 내의 온도에서 형성될 수 있다. The present disclosure generally relates to methods of selectively forming titanium silicide...

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Main Authors CHU SCHUBERT S, CHUNG HUA, KUPPURAO SATHEESH, BAUER MATTHIAS
Format Patent
LanguageKorean
Published 02.07.2019
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 개시내용은 일반적으로, 기판들 상에 티타늄 실리사이드들을 선택적으로 형성하는 방법들에 관한 것이다. 방법들은 일반적으로, 콘택 구조 통합 방식들과 함께 활용된다. 일 실시예에서, 소스/드레인 구역 상의 계면 층으로서 기판 상에 티타늄 실리사이드 재료가 선택적으로 형성된다. 티타늄 실리사이드 층은 약 400 ℃ 내지 약 500 ℃ 범위 내의 온도에서 형성될 수 있다. The present disclosure generally relates to methods of selectively forming titanium silicides on substrates. The methods are generally utilized in conjunction with contact structure integration schemes. In one embodiment, a titanium silicide material is selectively formed on a substrate as an interfacial layer on a source/drain region. The titanium silicide layer may be formed at a temperature within range of about 400 degrees Celsius to about 500 degrees Celsius.
Bibliography:Application Number: KR20197018386