SEMICONDUCTOR APPARATUS
The present invention relates to a semiconductor device. The device comprises: a unit memory area which includes a plurality of sub-memory areas; a column-free decoder which is formed to generate a column-free decoding signal by decoding a column address signal; a first column main decoder which is...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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01.07.2019
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Summary: | The present invention relates to a semiconductor device. The device comprises: a unit memory area which includes a plurality of sub-memory areas; a column-free decoder which is formed to generate a column-free decoding signal by decoding a column address signal; a first column main decoder which is formed to generate a first column selection signal for controlling column access of the half of the plurality of sub-memory areas by decoding the column-free decoding signal; a second column main decoder which is formed to generate a second column selection signal for controlling column access of the other half of the plurality of sub-memory areas by decoding the column-free decoding signal; and a control circuit which is formed to provide the column-free decoding signal only to one, relatively closer to a sub-memory area to be activated among the plurality of sub-memory areas, between the first and second column main decoders. Therefore, the semiconductor device can allow stable column control.
본 기술은 복수의 서브 메모리 영역들을 포함하는 단위 메모리 영역; 컬럼 어드레스 신호를 디코딩하여 컬럼 프리 디코딩 신호를 생성하도록 구성된 컬럼 프리 디코더; 상기 컬럼 프리 디코딩 신호를 디코딩하여 상기 복수의 서브 메모리 영역들의 절반의 컬럼 억세스를 제어하기 위한 제 1 컬럼 선택 신호를 생성하도록 구성된 제 1 컬럼 메인 디코더; 상기 컬럼 프리 디코딩 신호를 디코딩하여 상기 복수의 서브 메모리 영역들의 나머지 절반의 컬럼 억세스를 제어하기 위한 제 2 컬럼 선택 신호를 생성하도록 구성된 제 2 컬럼 메인 디코더; 및 상기 제 1 컬럼 메인 디코더와 상기 제 2 컬럼 메인 디코더 중에서, 상기 복수의 서브 메모리 영역들 중에서 활성화될 서브 메모리 영역과 상대적으로 가까운, 어느 하나에만 상기 컬럼 프리 디코딩 신호를 제공하도록 구성된 제어 회로를 포함하는 반도체 장치. |
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Bibliography: | Application Number: KR20170176837 |