HIGH SURFACE DOPANT CONCENTRATION FORMATION PROCESSES AND STRUCTURES FORMED THEREBY

• Main Authors: CHEN CHIA CHENG, CHEN LIANG YIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The embodiment disclosed in the present invention relates to forming a source/drain region having a high surface dopant concentration on the upper surface of the source/drain region in which a conductive feature may generally be formed. In one embodiment, the structure comprises an active area on a substrate, a dielectric layer over the active area, and a conductive feature penetrating through the dielectric layer up to the active area. The active area comprises the source/drain region. The source/drain region comprises a surface dopant region on the upper surface of the source/drain region, and the remaining portion of the source/drain region having the source/drain dopant concentration. The surface dopant region has a peak dopant concentration close to the upper surface of the source/drain region. The peak dopant concentration is at least one order of magnitude larger than the source/drain dopant concentration. The conductive feature is in contact with the source/drain region at the upper surface of the source/drain region. 본원에 개시된 실시예는 일반적으로 도전성 피처가 형성될 수 있는 소스/드레인 영역의 상부 표면에 높은 표면 도펀트 농도를 갖는 소스/드레인 영역을 형성하는 것에 관한 것이다. 일실시예에 있어서, 구조물은 기판 상에 활성 에리어, 활성 에리어 위에 유전체 층, 및 활성 에리어까지 유전체 층을 관통하는 도전성 피처를 포함한다. 활성 에리어는 소스/드레인 영역을 포함한다. 소스/드레인 영역은 소스/드레인 영역의 상부 표면에 표면 도펀트 영역을 포함하고, 소스/드레인 도펀트 농도를 갖는 소스/드레인 영역의 나머지 부분을 포함한다. 표면 도펀트 영역은 소스/드레인 영역의 상부 표면에 근접하여 피크 도펀트 농도를 가진다. 피크 도펀트 농도는 소스/드레인 도펀트 농도보다 적어도 한 자릿수 크다. 도전성 피처가 소스/드레인 영역의 상부 표면에서 소스/드레인 영역과 접촉한다.