비기능 필러들을 갖는 수직 메모리 디바이스

• Main Authors: HALLER GORDON A, PARK MATTHEW R, VEGUNTA SRI SAI SIVAKUMAR, DARMARLA GOWRISANKAR, ZHAO JUN, MOKHNA RAU PRAKASH RAU, DAYCOCK DAVID A, MATOVU JOHN B
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 04.06.2019
• Subjects: ELECTRICITY

솔리드 스테이트 메모리 기술이 개시된다. 일 예에서, 솔리드 스테이트 메모리 컴포넌트는 복수의 비트 라인, 소스 라인, 및 복수의 기능(510) 및 비기능(510') 메모리 필러를 포함할 수 있다. 각각의 비기능 메모리 필러(510')는 복수의 비트 라인 및 소스 라인 중 하나 또는 둘 다로부터 전기적으로 격리된다. 다른 예에서, 솔리드 스테이트 메모리 컴포넌트는 솔리드 스테이트 메모리 컴포넌트의 주변 부분(553)에 위치한 복수의 필러, 및 필러들 각각에 인접한 메모리 셀들을 포함할 수 있다. 연관된 시스템들 및 방법들이 또한 개시된다. A solid state memory component can include a plurality of bit lines, a source line, and a plurality of non-functional memory pillars. Each non-functional memory pillar is electrically isolated from one or both of the plurality of bit lines and the source line. A solid state memory component can include a plurality of pillars located in a periphery portion of the solid state memory component, and memory cells adjacent to each of the pillars. Associated systems and methods are also disclosed.