Thin Film Transistor Substrate For Display Device
The present invention relates to a thin film transistor substrate for a display device having a plastic substrate. According to the present invention, the thin film transistor substrate for a display device comprises: a base layer; a first buffer layer applied over the entire surface of the base lay...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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27.05.2019
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Summary: | The present invention relates to a thin film transistor substrate for a display device having a plastic substrate. According to the present invention, the thin film transistor substrate for a display device comprises: a base layer; a first buffer layer applied over the entire surface of the base layer; an electric field shielding layer applied over the entire surface of the first buffer layer; a second buffer layer applied over the entire surface of the electric field shielding layer; a first semiconductor layer arranged over the second buffer layer; and a second semiconductor layer arranged over the second buffer layer. The first semiconductor layer has a band gap greater than the band gap of the second semiconductor layer.
본 발명은 플라스틱 기판을 구비한 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다. 본 발명에 의한 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은, 기저층, 제1 버퍼 층, 전계 차폐층, 제2 버퍼 층, 제1 반도체 층 및 제2 반도체 층을 포함한다. 제1 버퍼 층은, 기저층의 표면 전체 위에 도포된다. 전계 차폐층은, 제1 버퍼 층 전체 표면 위에 도포된다. 제2 버퍼 층은, 전계 차폐층 전체 표면 위에 도포된다. 제1 반도체 층은, 제2 버퍼 층 위에 배치된다. 제2 반도체 층은, 제2 버퍼 층 위에 배치된다. 제1 반도체 층은 제2 반도체 층보다 더 큰 밴드 갭을 갖는다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20170153854 |