Apparatus and method for inspecting multi-layer structure method for fabricating semiconductor device comprising the method
Provided are a device and a method to inspect a multilayer structure, capable of reliably inspecting a multilayer structure in a sample without damage to the sample. The inspecting device includes: an input part generating light and polarizing the light; a beam splitter splitting the light from the...
Saved in:
Main Authors | , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
17.05.2019
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | Provided are a device and a method to inspect a multilayer structure, capable of reliably inspecting a multilayer structure in a sample without damage to the sample. The inspecting device includes: an input part generating light and polarizing the light; a beam splitter splitting the light from the input part into first incident light and second incident light; a sample part including a sample having a multilayer structure, and leading first reflection light, which is generated by the first incident light emitted into the sample, to head for the beam splitter; a reference part including a reference mirror, and leading second reflection light, which is generated by the second incident light emitted into the reference mirror, to head for the beam splitter; and a detecting part detecting light quantity by wavelength by receiving a set polarizing component from the first reflection light having gone through the beam splitter or overlapped light of the first reflection light and the second reflection light. Reflectance and dispersion are measured based on the light quantity by wavelength to inspect the multilayer structure of the sample.
본 발명의 기술적 사상은 시료의 손상없이 시료 내의 다중층 구조를 신뢰성 있게 검사할 수 있는 다중층 구조 검사 장치와 방법을 제공한다. 그 검사 장치는, 광을 생성하고 편광시키는 입력부; 상기 입력부로부터의 광을 제1 입사광과 제2 입사광으로 분리하는 빔 스플리터(beam splitter); 다중층 구조의 샘플이 구비되고, 상기 제1 입사광이 상기 샘플로 입사되어 생성된 제1 반사광이 상기 빔 스플리터로 향하도록 하는 샘플부; 기준 미러가 구비되고, 상기 제2 입사광이 상기 기준 미러로 입사되어 생성된 제2 반사광이 상기 빔 스플리터로 향하도록 하는 기준부; 및 상기 빔 스플리터를 통과한, 상기 제1 반사광에서, 또는 상기 제1 반사광과 제2 반사광의 중첩된 광에서, 설정된 편광 성분을 받아들여 파장 별 광량을 검출하는 검출부;를 포함하고, 상기 파장 별 광량에 기초하여 반사도(reflectance)와 분산량(dispersion)을 측정하여 상기 샘플의 다중층 구조를 검사한다. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: KR20170148715 |