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Summary:The present invention relates to a substrate processing apparatus, comprising: a chamber for providing a process space; a substrate support unit installed in the process chamber to support at least one substrate and configured to rotate in a predetermined direction; a chamber lid for covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support unit; a gas injection unit installed on the chamber lid to locally face the substrate support unit and locally injecting a gas in the process space; and a purge gas injection module inserted and installed in a purge gas injection module installation unit formed on the chamber lid and having a slit or a plurality of purge gas injection holes, wherein the gas injection unit includes a first gas injection group for injecting at least one kind of a source gas and at least one kind of a reaction gas to form a first thin film layer, and a second gas injection group for injecting at least one kind of a source gas and at least one kind of a reaction gas to form a second thin film layer, and the purge gas injection module injects a purge gas into a space between the first and second gas injection groups so as to spatially separate the first and second gas injection groups. 본 발명은 공정 공간을 제공하는 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 공정 공간 내에서 가스를 국부적으로 분사하는 가스 분사부; 및 상기 챔버 리드에 형성된 퍼지 가스 분사 모듈 설치부에 삽입 설치되어 슬릿 또는 복수의 퍼지 가스 분사홀을 가지는 퍼지 가스 분사 모듈을 포함하고, 상기 가스 분사부는 제 1 박막층을 형성하기 위한 적어도 한 종류의 소스 가스와 적어도 한 종류의 반응 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 그룹, 및 제 2 박막층을 형성하기 위한 적어도 한 종류의 소스 가스와 적어도 한 종류의 반응 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 그룹을 포함하며, 상기 퍼지 가스 분사 모듈은 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 그룹을 공간적으로 분리하도록 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 그룹 사이의 공간에 퍼지 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
Bibliography:Application Number: KR20190053144