PHOTOELECTROCHEMICAL WATER SPLITTING
Disclosed is an electrode (300, 400, 500) in the present invention. The electrode (300, 400, 500) comprises a substrate (302). In addition, the electrode (300, 400, 500) comprises a first conductive layer (304) placed on the substrate (302). The first conductive layer (304) is formed by at least one...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
15.05.2019
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Summary: | Disclosed is an electrode (300, 400, 500) in the present invention. The electrode (300, 400, 500) comprises a substrate (302). In addition, the electrode (300, 400, 500) comprises a first conductive layer (304) placed on the substrate (302). The first conductive layer (304) is formed by at least one between indium tin oxide (ITO) and fluorine added tin oxide (FTO). The electrode (300, 400, 500) comprises at least one semiconductor layer (308, 502) placed on the first conductive layer (304). Moreover, the electrode (300, 400, 500) is distributed across the first conductive layer (304), and comprises at least one connector (120, 402, 504) for conducting currents from the electrode (300,400, 500).
본 개시는 전극(300, 400, 500)을 개시한다. 전극(300, 400, 500)은 기판(302)를 포함한다. 또한, 전극(300, 400, 500)은 기판(302) 상에 배치된 제 1 전도 레이어(304)를 포함한다. 제 1 전도 레이어(304)는 인듐 주석 산화물(ITO) 및 플루오르 첨가 주석 산화물(FTO) 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 전극(300, 400, 500)은 또한 제 1 전도 레이어(304) 상에 배치된 적어도 하나의 반도체 레이어(308, 502)를 포함한다. 또한, 전극(300, 400, 500)은 제 1 전도 레이어(304)를 가로질러 분포되고, 전극(300, 400, 500)으로부터 전류를 전도하는 적어도 하나의 커넥터(120, 402, 504)를 포함한다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20180116243 |