상호접속 구조체들을 위한 합성 유전체 계면 층들

• Main Authors: PASQUALE FRANK L, SHANKAR NAGRAJ, RAINVILLE MELIHA GOZDE, SWAMINATHAN SHANKAR, REDDY KAPU SIRISH
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 13.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

약 7 미만의 유전 상수 (k) 및 적어도 약 2.5 g/㎤의 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 유전체 합성 막들이 에칭 정지 층들로서 역할을 하도록 부분적으로 제조된 반도체 디바이스들 상에 증착된다. 일 실시예에서, 합성 막들은 Al, Si, 및 Ge로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 2 개의 원소들, 및 O, N, 및 C로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. 일 실시예에서, 합성 막 Al, Si 및 O를 포함한다. 일 구현예에서, 노출된 유전체 층 (예를 들어, ULK 유전체) 및 노출된 금속 층을 포함하는 기판이 알루미늄-함유 화합물 (예컨대 트리메틸알루미늄) 및, 순차적으로, 실리콘-함유 화합물과 콘택트한다. 이어서 흡착된 화합물들은 Al, Si, 및 O를 포함하는 막을 형성하도록 산소-함유 플라즈마 (예를 들어, CO-함유 가스에 형성된 플라즈마) 로 처리된다. Dielectric composite films characterized by a dielectric constant (k) of less than about 7 and having a density of at least about 2.5 g/cm3 are deposited on partially fabricated semiconductor devices to serve as etch stop layers. The dielectric composite film in one embodiment includes Al, Si, and O and has a thickness of between about 10-100 Å. The dielectric composite film can reside between two layers of inter-layer dielectric, and may be in contact with metal layers. An apparatus for depositing such dielectric composite films includes a process chamber, a conduit for delivering an aluminum containing precursor to the process chamber, a second conduit for delivering a silicon-containing precursor to the process chamber and a controller having program instructions for depositing the dielectric composite film from these precursors, e.g., by reacting the precursors adsorbed to the substrate with an oxygen-containing species.