DOPING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONDUCTIVE FEATURE

• Main Authors: YOU WEI MING, LIU CHANG MIAO, TAN LUN KUANG, LIU SU HAO, WU CHUN HUNG, CHEN KUO JU, CHANG HUICHENG, CHEN CHIA CHENG, YANG HUAI TEI, CHEN LIANG YIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention generally relates to doping for conductive features in a semiconductor device. According to an embodiment of the present invention, a structure comprises an active region of a transistor. The active region includes a source/drain region and the source/drain region is at least partially defined by a first dopant having a first dopant concentration. The source/drain region further includes a second dopant having a concentration profile with a constant concentration from a surface of the source/drain region to a depth of a source/drain. The constant concentration is greater than the first dopant concentration. The structure further includes a conductive feature in contact with the source/drain region at the surface at the surface of the source/drain region. 본 개시는 일반적으로 반도체 디바이스 내의 도전성 피처들에 대한 도핑에 관한 것이다. 예시에서, 구조물은 트랜지스터의 활성 영역을 포함한다. 활성 영역은 소스/드레인 영역을 포함하고, 소스/드레인 영역은 제 1 도펀트 농도를 갖는 제 1 도펀트에 의해 적어도 부분적으로 규정된다. 소스/드레인 영역은, 소스/드레인 영역의 표면으로부터 소스/드레인의 깊이까지 일정한 농도를 갖는 농도 프로파일을 갖는 제 2 도펀트를 더 포함한다. 일정한 농도는 제 1 도펀트 농도보다 크다. 구조물은 소스/드레인 영역의 표면에서 소스/드레인 영역과 접촉하는 도전성 피처를 더 포함한다.