SILACYCLIC COMPOUNDS AND METHODS FOR DEPOSITING SILICON-CONTAINING FILMS USING SAME

• Main Authors: RIDGEWAY ROBERT GORDON, VRTIS RAYMOND NICHOLAS, LEI XINJIAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided are a method and composition for producing a porous low k dielectric film via chemical vapor deposition. The method comprises the following steps: providing a substrate within a reaction chamber; introducing into the reaction chamber a gaseous reagent including at least one structure-forming precursor containing a salicylic compound and with or without a porogen; applying energy to the gaseous reagent in the reaction chamber to induce reaction of the gaseous reagent to deposit a preliminary film on the substrate, wherein the preliminary film contains the porogen, and the preliminary film is deposited; and removing, from the preliminary film, at least a portion of the porogen contained therein and providing the film with pores and a dielectric constant of 3.0 or less. In certain embodiments, the structure-forming precursor further comprises a hardening additive. 화학적 기상 증착을 통해 다공성의 낮은 k 유전체 필름을 제조하기 위한 방법 및 조성물은 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계; 실라시클릭 화합물을 포함하고 기공 유도물질을 포함하거나 포함하지 않는 하나 이상의 구조 형성 전구체를 포함하는 기체 시약을 반응 챔버에 도입하는 단계; 반응 챔버 내의 기체 시약에 에너지를 적용하여 기체 시약의 반응을 유도하고 이로써 기판상에 예비 필름을 증착시키는 단계로서, 예비 필름이 기공 유도물질(porogen)을 함유하고 예비 필름이 증착되는 것인 단계; 및 예비 필름으로부터 그 안에 함유된 기공 유도물질의 적어도 일부를 제거하여 기공 및 3.0 이하의 유전 상수를 갖는 필름을 제공하는 단계를 포함한다. 특정 실시양태에서, 구조 형성 전구체는 경화 첨가제를 더 포함한다.