METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL AND NITRIDE CRYSTAL
최대 직경이 100 ∼ 1000 ㎛ 인 2 차 입자가 응집하여 이루어지는, 최대 직경이 1 ∼ 120 ㎜ 인 3 차 입자를 포함하는 질화물 결정 원료를 반응 용기의 원료 충전 영역에 충전하고, 반응 용기 중에서 초임계 및/또는 아임계 상태의 용매 존재하에서 결정 성장을 실시하는 질화물 결정의 제조 방법에 있어서, 상기 질화물 결정 원료를 원료 충전 영역에 0.7 ∼ 4.5 g/㎤ 의 부피 밀도로 충전하여 결정 성장을 실시함으로써, 효율적으로 고품질인 질화물 결정을 제조할 수 있다....
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
07.05.2019
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Summary: | 최대 직경이 100 ∼ 1000 ㎛ 인 2 차 입자가 응집하여 이루어지는, 최대 직경이 1 ∼ 120 ㎜ 인 3 차 입자를 포함하는 질화물 결정 원료를 반응 용기의 원료 충전 영역에 충전하고, 반응 용기 중에서 초임계 및/또는 아임계 상태의 용매 존재하에서 결정 성장을 실시하는 질화물 결정의 제조 방법에 있어서, 상기 질화물 결정 원료를 원료 충전 영역에 0.7 ∼ 4.5 g/㎤ 의 부피 밀도로 충전하여 결정 성장을 실시함으로써, 효율적으로 고품질인 질화물 결정을 제조할 수 있다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20197012004 |