전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 및 무선 통신 장치의 제조 방법

• Main Authors: KAWAI SHOTA, MURASE SEIICHIRO, SHIMIZU HIROJI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.05.2019
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판의 표면 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연층을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연층 위에 도전체와 감광성 유기 성분을 함유하는 도전막을 도포법에 의해 형성하는 공정과, 상기 기판의 이면측으로부터 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 도전막을 노광하는 공정과, 노광된 도전막을 현상하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 반도체층을 도포법에 의해 형성하는 공정을 포함하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법이며, 이에 의해, 간편한 프로세스로 제작하는 것이 가능하고, 이동도가 높고, 게이트 전극과 소스·드레인 전극이 고정밀도로 위치 정렬된 FET, 반도체 장치, RFID를 제공할 수 있다. Provided is a method for manufacturing a field-effect transistor, the method including the steps of: forming a gate electrode on the surface of a substrate; forming a gate insulating layer on the gate electrode; forming a conductive film containing a conductor and a photosensitive organic component by a coating method on the gate insulating layer; exposing the conductive film from the rear surface side of the substrate with the gate electrode as a mask; developing the exposed conductive film to form a source electrode and a drain electrode; and forming a semiconductor layer by a coating method between the source electrode and the drain electrode. This method makes it possible to a FET, a semiconductor device, and an RFID which can be prepared by a simple process, and which have a high mobility, and have a gate electrode and source/drain electrodes aligned with a high degree of accuracy.