MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE SAME

• Main Authors: LIN CHIH YU, CHAN WEI MIN, CHEN YEN HUEI, LIAO HUNG JEN, FUJIWARA HIDEHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.05.2019
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Disclosed is a device comprising memory bit cells, a first word line, a pair of metal islands, and a pair of connection metal lines. The first word line is disposed within a first metal layer and electrically connected to the memory bit cells. The pair of metal islands are disposed on both sides of the word line within the first metal layer and electrically connected to a power source. The pair of connection metal lines are disposed within a second metal layer and configured to electrically connect each of the metal islands to the memory bit cells. 메모리 비트 셀, 제1 워드 라인, 한 쌍의 금속 아일랜드, 및 한 쌍의 접속 금속 라인을 포함하는 디바이스가 개시된다. 제1 워드 라인은 제1 금속층 내에 배치되고, 메모리 비트 셀에 전기적으로 연결된다. 한 쌍의 금속 아일랜드는 제1 금속층 내에서 워드 라인의 양측에 배치되며, 전원에 전기적으로 연결된다. 한 쌍의 접속 금속 라인은 제2 금속층 내에 배치되고, 금속 아일랜드를 각각 메모리 비트 셀에 전기적으로 연결하도록 구성된다.