METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NIINO REIJI, YAMAMOTO TOMONARI, HIROTA YOSHIHIRO, YANG RONG, YAMAGUCHI TATSUYA, FUJIKAWA MAKOTO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device capable of removing a sacrificial film while suppressing the occurrence of damage caused by the entry of an etchant through an opening formed in a semiconductor manufacturing device. In the method of manufacturing the semiconductor device, a polymer film (6) made of a polymer having a urea bond is formed on a substrate on which a concave part (29) including an opening of the patterned sacrificial film (23) is formed, and the polymer is embedded in the concave part (29). Then, after removing the polymer film (6) and leaving the embedded polymer (6a), the polymer in the concave part (29) is removed from the concave part (29), after the sacrificial film (23) is removed while the polymer (6a) is embedded in the concave part (29). 본 발명은, 반도체 제조 장치에 형성되어 있는 개구를 통해서 에천트가 진입하는 것에 수반하는 대미지의 발생을 억제하면서, 희생막을 제거하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 패터닝된 희생막(23)의 개구를 포함하는 오목부(29)가 형성된 기판에 대하여, 요소 결합을 갖는 중합체로 이루어지는 중합체막(6)을 형성하고, 오목부(29) 내에 중합체를 매립한다. 이어서, 매립된 중합체(6a)를 남기고 중합체막(6)을 제거한 후, 오목부(29) 내에 중합체(6a)가 매립된 상태에서 희생막(23)을 제거하고 나서, 오목부(29) 내의 중합체를 제거한다.