7NM 미만 CMOS 제조에서 비소 가스방출 제어를 위한 UV 방사선 시스템 및 방법

• Main Authors: CHU SCHUBERT S, BAO XINYU, CHUNG HUA, YAN CHUN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본원에 개시된 구현들은, 에피택셜 프로세스 이후에 유해한 가스들의 기판 가스방출을 제어하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 구현에서, 방법은, 에피택셜 층을 포함하는 기판을 이송 챔버 내에 제공하는 단계 - 이송 챔버는, 이송 챔버의 최상부 천장에 인접하여 배치된 자외선(UV) 램프 모듈을 가짐 -, 산소 함유 가스를 이송 챔버의 가스 라인을 통해 이송 챔버 내로 유동시키는 단계, 비반응성 가스를 이송 챔버의 가스 라인을 통해 이송 챔버 내로 유동시키는 단계, 기판의 표면 상의 잔류물들 또는 종들을 산화시켜 가스방출 배리어 층을 기판의 표면 상에 형성하기 위해 UV 램프 모듈을 활성화하는 단계, 이송 챔버 내로의 산소 함유 가스 및 질소 함유 가스의 유동을 중단시키는 단계, 이송 챔버를 펌핑하는 단계, 및 UV 램프 모듈을 비활성화하는 단계를 포함한다. Implementations disclosed herein relate to methods for controlling substrate outgassing of hazardous gasses after an epitaxial process. In one implementation, the method includes providing a substrate comprising an epitaxial layer into a transfer chamber, wherein the transfer chamber has an ultraviolet (UV) lamp module disposed adjacent to a top ceiling of the transfer chamber, flowing an oxygen-containing gas into the transfer chamber through a gas line of the transfer chamber, flowing a non-reactive gas into the transfer chamber through the gas line of the transfer chamber, activating the UV lamp module to oxidize residues or species on a surface of the substrate to form an outgassing barrier layer on the surface of the substrate, ceasing the flow of the oxygen-containing gas and the nitrogen-containing gas into the transfer chamber, pumping the transfer chamber, and deactivating the UV lamp module.