METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: TOMITA RYUJI, LEE JOON GON, HUANG KUO TAI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a manufacturing method of a semiconductor device which improves contact resistance. The manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of: forming a pin-type pattern on a substrate; forming a first gate electrode intersected with the pin-type pattern on the pin-type pattern; forming a recess adjacent to a side wall of the first gate electrode inside the pin-type pattern; and forming a source / drain region inside the recess by performing a chemical vapor deposition process using a source gas and a doping gas. The source gas includes a silicon precursor and a germanium precursor, and the doping gas includes a gallium precursor and a boron precursor. 컨택 저항을 개선시키는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 핀형 패턴을 형성하고, 핀형 패턴 상에, 핀형 패턴과 교차하는 제1 게이트 전극을 형성하고, 핀형 패턴 내에, 제1 게이트 전극의 측벽에 인접하는 리세스를 형성하고, 소오스 가스 및 도핑 가스를 이용하는 화학기상증착 공정을 수행하여, 리세스 내에 소오스/드레인 영역을 형성하는 것을 포함하고, 소오스 가스는 실리콘 전구체 및 게르마늄 전구체를 포함하고, 도핑 가스는 갈륨 전구체 및 붕소 전구체를 포함한다.